IPD12CNE8N G参数：MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation11/Dec/2009标准包装：2,500系列：OptiMOS™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：85V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：67A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：12.4毫欧@67A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@83µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：64nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：4340pF@40V功率-最大值：125W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商器件封装：PG-TO252-3
